ويمكن لكربيد السيليكون (SiC)، الذي صنع منه الترانزيستور، العمل في درجات حرارة وجهد أعلى دون فقدان الخصائص الكهربائية. ما يجعله واعدا للاستخدام في إلكترونيات الطاقة، مثل العاكسات ومحولات الطاقة. ولكن يتطلب استخدام كربيد السيليكون على نطاق واسع توفر تكنولوجيا تسمح بتكرار تصنيعه، وابتكار حلول طوبولوجية وتكنولوجية جديدة.

ويقول سيمينوف: “لقد ابتكرنا في إطار تنفيذ برنامجنا التنموي “أولوية 2030″ للانتقال إلى قاعدة مكونات إلكترونية جديدة، نموذجا أوليا لترانزيستور المفعول المجالي يعتمد على كربيد السيليكون عند 1.7 كيلو فولت”.

وتجدر الإشارة إلى أن الترانزيستورات تعتبر أحد المكونات الرئيسية للإلكترونيات الكهربائية. وتستخدم أنواعها التي تعتمد على كربيد السيليكون بنجاح في جميع أنواع الإلكترونيات الحديثة ذات الجهد العالي تقريبا، بدءا من الأجهزة المنزلية والنقل الكهربائي إلى أنظمة الاتصالات وتكنولوجيا الفضاء.

المصدر: صحيفة “إزفيستيا”